ASML 獲晶圓巨頭承諾採用 高 NA EUV 光刻機，推動 AI 晶片製程升級
荷蘭光刻設備領導者 ASML 近日獲得三大晶圓代工龍頭——三星、台積電與英特爾——的正式承諾，將在未來數年內導入最新的 高數值孔徑 (High‑NA) EUV 光刻機。此舉被視為 AI 晶片製程升級的關鍵里程碑，同時也讓 ASML 的營收結構更趨穩固。
背景與技術轉變
EUV（極紫外光）光刻是製造最先進 AI 加速器的唯一可行技術。ASML 於 2019 年推出較為簡易的 低 NA EUV 系統，已在全球量產晶圓廠普及。高 NA EUV 則採用更大的數值孔徑與更短的光波長（13.5 nm），可在單次曝光中捕捉更廣闊的圖形，提升解析度與產能。
目前的光掩模（photomask）尺寸為 6 吋，限制了單次曝光的晶片面積，導致廠商必須採用多層堆疊與複雜的互連方式，成本與設計難度皆居高不下。四家公司計畫將光掩模升級至 12 吋，這看似簡單的尺寸翻倍，實則涉及整條光刻供應鏈的同步改造。
ASML 技術主管 Marco Pieters 表示，若成功實現 12 吋光掩模，高 NA 機台的吞吐量可提升約 40%，同時簡化晶片設計流程，為 AI 晶片的大量生產鋪路。
產業影響
- 三星：將於 2028 年起在高 NA EUV 上量產記憶體晶片。受 AI 資料中心需求推升，記憶體價格正快速上揚，提升高 NA 機台的投資回報率。
- 台積電：原本持保守態度，認為產能提升尚不足以抵消高昂成本。2023 年底改變策略，計畫於 2030 年導入高 NA EUV，並於 2031 年與 ASML 合作建置 12 吋光掩模測試線，2033 年正式投入量產。台積電貢獻約佔 ASML 營收的 16%，此決策對公司財務影響重大。
- 英特爾：已率先在自家晶圓廠部署高 NA EUV，持續擴大產能，為其在 AI 加速器市場的競爭力提供技術支撐。
未來展望與讀者啟示
高 NA EUV 的商業化不僅是光刻設備的升級，更代表晶圓製程向「更大、更快、更省」的方向邁進。隨著 12 吋光掩模的成熟，未來 AI 晶片的單位成本有望下降，設計週期也將縮短，進一步加速 AI 應用的普及。
同時，中國在華為領導下正加速布局 DUV（深紫外光）光刻與本土供應鏈，以迴避西方出口管制。雖然短期內無法與高 NA EUV 直接競爭，但其策略顯示出全球半導體供應鏈的多極化趨勢，業者需持續關注政策與技術的交叉影響。
對於投資人與產業觀察者而言，ASML 與其三大客戶的合作訊號，預示著 AI 晶片製程的下一波升級即將到來。關鍵在於 高 NA EUV 能否如期提升產能與降低成本，這將決定未來 AI 硬體的價格走向與市場格局。