AMD 推出 EXPO 超低延遲：全新自動過濾記憶體速度
AMD 最近推出了一項名為 EXPO Ultra Low Latency (ULL) 的新技術，這是一種全新的自動過濾記憶體速度工具。根據 AMD 納入內部測試的數據，ULL 在超過 30 遊戲中的平均性能比 JEDEC 标準速度的 DDR5 提升了 13%，相比標準 EXPO 則提升了 4%。
背景與技術細節
AMD 沒有詳細說明 ULL 具體是如何工作的，但根據公開資料，ULL 在 Ryzen 7 9700X CPU 上進行的測試顯示，ULL 讓 DDR5-6000 的速度比 JEDEC 标準速度的 DDR5-5600 快了 9%，而 ULL 運作下的 DDR5-6000 CL30 則比標準 EXPO 快了 13%。此外，ULL 在低性能表現（1% 低）方面的提升也非常顯著，相比 JEDEC 标準速度提升了 11%，而 ULL 到達了 15%。
AMD 還指出，ULL 的 CAS Latency 設定為 CL28、CL30 和 CL36。ULL 目前已由多個記憶體合作伙伴支持，包括 G.Skill、Kingston、Klevv、Lexar、Origin Code、TeamGroup、V-Color 和 XPG 等。
影響與未來展望
ULL 的推出將對遊戲性能產生積極影響，特別是在低性能表現方面。AMD 通過其測試數據表明 ULL 能夠在多個游戲中提高Smoothness（平滑度），這對於玩家來說是一個重要的優勢。然而，ULL 是否會成為一個新標準還需進一步觀察，因為目前尚不清楚是否會回傳到舊版的 EXPO DIMMs。
AMD 表示 ULL 仍然處於測試階段，預計將在 Computex 2026 上進行更多展示和介紹。對於消費者來說，ULL 是否能夠在所有遊戲中都提供相似的性能提升還需進一步驗證。但可以肯定的是，ULL 將對記憶體速度和遊戲性能產生重要的影響。
結論
ULL 的推出標誌著 AMD 在記憶體技術上的又一重大進步，對於追求最高遊戲性能的玩家來說是一個福音。隨著更多測試和數據的公開，我們期待看到 ULL 在實際應用中的表現如何。